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隧道二极管(tunneldiode)
隧道二极管(tunneldiode)
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肖特基二极管(Schottkydiode)
肖特基二极管(Schottkydiode)用金属和半导体制成的面接触二极管,具有和pn结类似的单向导电性。由于肖特基二极管的正向电流主要是由半导体中的多数载流子进入金属所形成的,它是...
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碳纳米管(carbonnanotube)
碳纳米管(carbonnanotube)由碳原子构成的网状纳米尺度半径的管状物为碳纳米管,分成单层和多层碳管。碳纳米管是20世纪90年代初被人类合成的一种新型人工结构材料,具有许多不同...
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等电子掺杂(isoelectronicdoping)
等电子掺杂(isoelectronicdoping)与被替代的基体原子具有相同价电子结构的替代原子的掺杂。等电子杂质虽然是电中性的,但由于其原子半径及电负性与被替代原子不同,因此产生的短...
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施主(donor)
施主(donor)能够向晶体提供电子同时自身成为正离子的杂质称为施主杂质。当电子被束缚于施主中心时,其能量低于导带底的能量,相应的能级称为施主能级。施主向导带释放电子所需的...
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受主(acceptor)
受主(acceptor)在半导体带隙中间的能级,能够接受电子同时自身成为负离子的杂质称为受主杂质。被受主杂质所接受的电子的能量高于价带顶的能量,相应的能级称为受主能级。有些缺...
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杂质能级(impuritylevel)
杂质能级(impuritylevel)半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏,从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态,称为杂质能级。对于杂质和主晶格原子价电子相差1的施(受...
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双性杂质(amphotericimpurity)
双性杂质(amphotericimpurity)有些杂质在同一半导体中既可起施主作用,又可起受主作用,这种杂质称为双性杂质。杂质的双性行为的起因可以不同。一种情况是双性杂质在晶格中只占...
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杂质(impurity)
杂质(impurity)杂质对半导体的性能起着决定性的影响。这不仅是因为在晶体的制备过程中很难避免杂质的混入,更主要的是为了控制半导体的性能制成有用的器件往往还要人为并且有控...
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氢化非晶硅(amorphousSi:H)
氢化非晶硅(amorphousSi:H)含有大量硅氢键的非晶硅称为氢化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氢合金,a-Si:H中含氢量达3~50。a-Si:H通常采用辉光放电法或溅射法制备,其电导及光电性质密...
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