直接带隙半导体（directbandgapsemiconductor）
直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0，这种半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁，跃迁过程中，除能量守恒外，还遵循动量守恒，跃迁前后，波矢K不变。能量大于禁带宽度Eg的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体均属直接带隙半导体。
直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0，这种半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁，跃迁过程中，除能量守恒外，还遵循动量守恒，跃迁前后，波矢K不变。能量大于禁带宽度Eg的光子均能被吸收而形成一个连续吸收带。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体均属直接带隙半导体。