物理性质

性状：黄色到黄绿色的立方结晶。
密度（g/mL,25℃）：4.13
熔点（oC）：1465
闪点（oC）：110
溶解性：难溶于稀、浓盐酸、硝酸。

作用与用途

常温常压下稳定。难溶于稀、浓盐酸、硝酸。是半导体。防止包装容器破裂。失火时，可用水、砂土、各种灭火器进行扑救。
本品属微毒

性质与稳定性

用于太阳能电池转换率高的InGaAsP/InP等半导体中。发光二极管大量用于控制灯、显示仪表或面发光元件等，发光二极管所用磷化物半导体有GaP、GaAsP等。红色发光二极管使用GaP或GaAsP等。黄、橙色发光二极管以GaAsP为主体。

合成方法

图XIII-19 用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布

液体密封直拉法

采用高压单晶炉，将多晶磷化镓加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在充以5.5 Mpa氩气压下，用三氧化二硼液封拉晶。因磷化镓分解压力很大，在典型生长条件下，有一定量的磷溢出并与三氧化二硼作用，使三氧化二硼透明性变差，并有部分冷凝在观察孔上妨碍观察，为此可用X射线扫描及称量法等来控制晶体直径，制得磷化镓单晶成品。

合成溶质扩散法(SSD法)

将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，这时产生约0.1 Mpa磷蒸气压，在1150℃磷化镓的离解压为0.67Pa，所以在0.1 Mpa磷蒸气压下，磷化镓可以稳定生长。开始时，磷蒸气与处在高温的镓表面反应生成磷化镓膜。此磷化镓溶于下面的镓液中并向坩埚底部扩散，由于坩埚底部温度较低，当磷化镓超过溶解度时，就会析出晶体，如磷源足够，最后会将镓液全部变成磷化镓晶体。

磷化镓外延生长

用上述方法制备的单晶主要用来作衬底。用液、气相外延方法能用来制备薄膜单晶。

磷化镓液相外延方法主要有浸渍法、转动法和滑动舟法。目前采用较多的是滑动舟法。气相外延主要有：Ga-PCI3-H2;GaHCl-PH3-H2;GaP-H2O(HCl)-H2系统和MOCVD法(金属有机热分解气相生长法)。

最近采用InP与InP;aAsP多层结构半导体开发了具有光增幅、光演算、光记忆等功能的元件。

2.按图所示，将镓和磷在真空中封入管图用溶质扩散法制造GaP的装置与温度分布内，在镓上形成温度梯度。镓的上面温度TH为1065～1330℃，温度梯度为7～46K/cm。坩埚底部温度(TL)低于TH，当磷蒸气压为101.325kPa时，加热数日，则GaP在Ga中扩散，于器底析出，全部为结晶块。这时，GaP的成长速度1日为0.8～7.0mm。上述是封闭管法，在连续操作系统中，也有类似的制块方法。

3.用氩气流向保持在1150～1350℃的镓上输送气态磷，或用氢气流向保持在1130℃的氮化硼盘或石英盘中的镓上输送磷化氢都可以制得GaP。而后面的反应系统(1130℃)，由于可以高精度地除去各种杂质，所以可得到高纯度的GaP。

4.用氢气向保持在1000℃的Ga2O3上输送磷蒸气，可制得产率接近100%的GaP。

5.将GaPO4在750～1050℃用氢或一氧化碳还原制取。

贮存方法

应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁库房内，容器必须密封

毒理学数据

1. 急性毒性：小鼠口服LD50：8gm/kg
主要的刺激性影响：
在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜
在眼睛上面：刺激的影响
致敏作用：没有已知的敏化现象

生态学数据

通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境.

计算化学数据

1、 氢键供体数量：0
2、 氢键受体数量：0
3、 可旋转化学键数量：0
4、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
5、 重原子数量：2
6、 表面电荷：0
7、 复杂度：10
8、 同位素原子数量：0
9、 确定原子立构中心数量： 0
10、 不确定原子立构中心数量：0
11、 确定化学键立构中心数量：0
12、 不确定化学键立构中心数量：0
13、 共价键单元数量：1

安全信息

危险品标志： 刺激
安全标识：S26
危险标识：R36/37

分子结构数据

1、 摩尔折射率：85.35
2、 摩尔体积（m³/mol）：319.0
3、 等张比容（90.2K）：756.5
4、 表面张力（dyne/cm）：31.6
5、 极化率（10^-24cm³）：33.83